传音旗下INFINIX发布了其NOTE系列的新一代手机 NOTE 11 和 NOTE 11 PRO，两者均搭载联发科HELIO G96 4G处理器，支持120HZ刷新率以及180HZ的触摸采样率。另外两款手机都配备了5000MAH大容量电池，以及支持33W有线快充，在续航方面的表现还是不错的。
目前充电头网已经拿到了该系列手机的标准版――INFINIX NOTE 11，下面就拆解给大家看看。
包装盒是常见的天地盖设计，顶盖为绿色配色，印有INFINIX品牌、NOTE11以及6GB+128GB、AMOLED、NFC等配置信息。
标准版的INFINIX NOTE 11有石墨黑、天空白和冰川绿三种颜色可供选择，此次拆解的便是石墨黑款式。
使用附带的充电套装给手机充电，测得充电功率为9.7V 2.24A 21.7W。
看完了手机的简单展示和测试，下面就对手机进行拆解，看看内部设计和做工如何。
从边缘拆下后盖，后盖与盖板边框通过双面胶固定，后盖对应电池位置有缓冲泡棉。
拆下盖板以及小PCB板，发现同轴信号线连接到尾插小板上，扬声器通过排线与尾插小板连接，小板上焊接USB-C母座和3.5MM耳机孔。接口均外套橡胶套保护及缓冲。
取下电池，可以看到手机采用了一体式的铝合金中框，强度高，并且具有一定的散热效果。
手机内部电池特写，电池型号为BL-49KX，锂聚合物电池，额定电压为3.87V，额定容量4900MAH，标称容量为5000MAH，充电限制电压4.45V。
撕开电池保护板的保护贴纸，电池极耳点焊焊接在保护板上，保护板右侧是电池排线焊点。
保护板上使用两颗创芯微的电池保护芯片，其中一颗丝印4BL，实际型号为CM1004-BLD，是一颗外接检流电阻的单节电池保护芯片。
创芯微CM1004BLD具有高精度电压检测功能，过充电保护电压为4.57V，精度为20MV。过放电保护电压为2.08V，精度为50MV。内置高精度取样电阻检流电路，可消除传统保护芯片使用电池保护MOS内阻检测的误差。
创芯微CM1004BKD同样具有高精度电压检测功能，过充电保护电压为4.53V，精度为20MV。过放电保护电压为2.35V，精度为50MV。内置高精度取样电阻检流电路，可消除传统保护芯片使用电池保护MOS内阻检测的误差。
两颗保护芯片均采用DFN1.9*1.6-6L封装，外围器件数量少，有效节省空间占用。保护芯片具备独立的放电过流和负载短路保护，同时支持充电过流保护，通过高精度电压检测电路，检测取样电阻上的压降，计算出电池的实际电流。可根据电池的放电电流，计算适合的取样电阻，为电池提供高精度的过流保护功能。
保护芯片采用独立的电阻检测电流，能够避免传统保护电路中检测MOS管压降带来的误差，在不同温度下提供一致的过流检测及保护功能，避免高温下MOS管内阻变大造成误保护。
手机镜头玻璃也是通过双面胶固定在盖板上。镜头玻璃主摄开孔，下方两个摄像头由玻璃保护。50M像素表示手机主摄为5000万像素。
NFC天线粘贴在石墨导热贴纸上，石墨导热贴纸帮助手机主板上的芯片散热。
四颗摄像头特写，最左侧是5000万像素主摄像头，支持光学防抖，右侧是1600万像素前置摄像头。
传音作为国外的出货巨头，手机针对国外应用环境深度优化，获得用户的广泛喜爱。INFINIX NOTE 11在配置上也是可圈可点，采用业界主流的6.7寸AMOLED水滴屏，内置5000万像素摄像头以及5000MAH电池支持33W快充，符合手机的定位以及售价，用户也有不错的使用体验。
值得一提的是，在电池保护板部分，充电头网首次见到此类国产的电池保护芯片应用于高端手机。INFINIX NOTE 11使用了两颗创芯微电池保护芯片，分别为CM1004-BLD和CM1004-BKD。CM1004系列锂电保护芯片，是创芯微针对高端手机市场推出的可外接检流电阻，内置高精度电压检测电路和延迟电路的高端产品系列。
相较于业内主流同类锂电保护产品过充精度提高40%，符合高端手机市场对锂电保护芯片的更高要求，为快速充电状态下的电池提供过流、过充和过放的保护。创芯微再一次打破日系垄断市场，为芯片国产化助力。