分为MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4种，下文将分析介绍这4种芯片的定义与特点。1.MB芯片定义与特点
定义：
        MB 芯片：Metal Bonding (金属粘着）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
     1、采用高散热系数的材料---Si  作为衬底，散热容易。
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
     2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收.
     3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4   倍)，更适应于高驱动电流领域。
     4、底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
     5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片定义和特点
定义﹕
       GB 芯片：Glue Bonding (粘着结合）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品
特点：
         1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
         2：芯片四面发光﹐具有出色的Pattern图。
         3：亮度方面﹐其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
         4：双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
3.TS芯片定义和特点
定义：
       TS 芯片：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP 的专利产品。
特点﹕
    1.芯片工艺制作复杂，远高于AS 。
    2.信赖性卓越。
    3.透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
    4.应用广泛。
4.AS芯片定义与特点
定义：
       AS 芯片：Absorbable structure  (吸收衬底）芯片，经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。
特点：
    1. 四元芯片，采用 MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
    2. 信赖性优良。
    3. 应用广泛。
发光二极管芯片材料磊晶种类
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异型结构) GaAlAs/GaAs
6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (双异型结构) GaAlAs/GaAlAs